N沟道(NMOS):同规格下内阻更低、电流能力更强、选择面更广,低边开关(负载在上、MOS接地端)首选; P沟道(PMOS):高边开关(负载在下、MOS接电源端)时栅极可以直接用低电平驱动,电路简单;但同规格内阻通常略高。 高边驱动若必须用NMOS,需要自举或电荷泵抬高栅压。具体驱动方案可联系技术支持获取建议。