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MOS管发热严重可能是什么原因？
2026.08.27 00:00:00
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- 驱动电压不足：VGS没达到完全导通条件，内阻偏大导致导通损耗高，优先排查；
- 内阻选型偏大：大电流场景应换更低RDS(on)型号；
- 开关损耗：高频开关场合开关损耗占比上升，需关注栅极电荷与驱动速度；
- 散热不足：铜箔面积、过孔散热是否按数据手册建议设计。
若需协助评估替代型号，可提供工况参数联系技术支持。
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