高分子ESD跟硅基材TVS的区别

一． 高分子ESD的特点：

1. 具有优异的静电吸收能力，与齐纳二极管响应时间达到同样水平，在静电吸收中，可以保持电流-电压对称特性。

2. 采用层叠结构，具有极低电容特性，可选择0402、0603、0805、封装系列

3. 具有较好的安装可靠性，支持无铅焊接，电镀，达到良好的焊接性，焊接耐热性。

4. 可替代齐纳二极管+电容。实现既省空间，又可以降低安装成本。

5. 高分子聚合物在多重应力下仍然可保持强大的性能, 而压敏电阻则会随着使用次数的增多性能下降.

二． 硅基材TVS的特点：

1. 瞬态抑制二极管简称TVS，VS的电气特性由P-N结面积，参杂浓度及晶片阻质决定的。其耐突波电流的能力与其P-N结面积成正比。

2. 反映速度快(为pS级)，体积小，箝位电压低，可靠性高。

3. 10/1000μs波脉冲功率从400W～30000W，脉冲峰值电流从几安～几百安。

4. 常用的TVS管的击穿电压有从5V到550V的系列值。且可靠性高，在TVS管规范之 

工作范围内，性能可靠，不易劣化，使用寿命长。

三． TVS和高分子聚合物ESD也同属保护器件，只是应用电路中的要求不同，选择的类型会有所区别，以下是两种保护器件特点图：