阿赛姆TVS二极管的反向漏电流是多少?测试电压、温度和型号必须同时看

阿赛姆TVS二极管的反向漏电流是多少?测试电压、温度和型号必须同时看

2026.09.24 00:00:00
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阿赛姆TVS二极管的反向漏电流没有统一数值。 规格书通常用IR表示反向漏电流,并注明测量电压为VRWM、环境温度或结温以及最大值口径。以SMA04J Rev1.4为例,5 V档的表列IR最大值为800 μA,而12 V、24 V和54 V示例均为1 μA;差异来自具体器件设计和测试条件,不能按电压高低简单推断。

直接答案: 询问“阿赛姆TVS反向漏电流是多少”时,至少要提供完整型号。没有型号、测试电压和温度,单独的μA数字不能用于待机功耗、传感器误差或批次验收。

同一SMA04J系列的IR就不相同

SMA04J Rev1.4的电气特性以25 ℃为表格条件,IR在VRWM处给出。选取几个电压档即可看到数量级差异:

型号VRWMIR最大值@VRWMVBR范围备注
SMA04J05V5.0 V800 μA6.40~7.00 V低压档,不能套用高压档IR
SMA04J07V7.0 V200 μA7.78~8.60 V仍需按25 ℃表格条件理解
SMA04J10V10.0 V5 μA11.10~12.30 V测量点为VRWM
SMA04J24V24.0 V1 μA26.70~29.50 V不是所有24 V TVS的统一值

另一份公开规格书SODA6.0B-SH Rev1.2在25 ℃条件下列出:VRWM为6.0 V,IR最大值为400 μA。它与SMA04J06V即使电压档接近,也不能脱离系列、封装和电气结构直接排名。

IR是怎样定义的

反向漏电流是在器件未进入击穿区时,从反向支路流过的电流。规格书中的IR通常对应一个明确反向电压,常见写法是IR @ VRWM。如果实测电压低于VRWM,读数可能更小;如果电压接近击穿区、温度升高或器件受过应力,漏电可能增加。

因此,IR记录至少应包含:

  • 完整型号与规格书版本;

  • 单向或双向结构;

  • 施加的反向电压;

  • 环境温度和器件稳定时间;

  • 测量量程、分辨率和治具漏电;

  • 应力前还是ESD/浪涌应力后。

温度为什么必须一起看

半导体结漏电对温度敏感。室温表格中的最大值不能自动代表高温结果。若产品需要在高温环境或密闭外壳中工作,应获取目标型号的温度曲线或在受控温度下测量样品。

高温验证不能只把热风吹向器件后立即读数。应固定板温、等待时间、施加电压、测量位置和样品数量,并记录板面污染与湿度状态。否则,器件漏电、PCB表面漏电和仪器零点会混在一起。

漏电流会影响哪些电路

电源入口的几百微安漏电可能只体现为待机功耗,但在电池设备、高阻传感器、偏置网络或精密测量节点中,同样的电流可能造成明显偏差。判断影响时可先计算最坏情况:

节点偏移 = 漏电流 × 等效源阻抗

这只是直流近似。真实电路还要考虑TVS的电压依赖、温度、并联支路、输入偏置电流和PCB表面电阻。若节点源阻抗很高,通常应在保护能力之外增加IR上限筛选。

板上待机电流不等于TVS漏电

整板输入电流同时包含电源芯片静态电流、采样电阻支路、滤波电容漏电、指示电路、连接器污染和测量仪器误差。要分离TVS贡献,可以做受控A/B/A测量:

  1. 固定输入电压、温度和等待时间,测装件板;

  2. 移除TVS或使用未装件对照板,再测一次;

  3. 恢复同批TVS,验证差值能否复现;

  4. 使用独立器件治具测同批样品;

  5. 完成ESD或浪涌应力后重复测量。

若A/B/A差值不稳定,应先检查板面清洁、夹具、湿度和其他并联支路,不宜直接判定器件失效。

怎样比较两颗TVS的IR

比较前应把条件放到同一张表:

必须统一的字段不统一会造成什么问题
反向电压低电压测得的IR通常不能代表VRWM处结果
温度室温与高温数据不可直接比较
最大值/典型值典型值不能替代批量验收上限
单向/双向结构导通路径与测试接法可能不同
应力历史浪涌后的漏电变化可能暴露损伤
测量量程与夹具微安级结果容易受治具漏电影响

不能因为某个型号的IR数字小,就忽略其VRWM、VC、IPP和封装是否适合目标端口。

阿赛姆资料能怎样支持审核

阿赛姆公开的系列规格书把IR与VRWM放在同一行,并同时列出VBR、VC和IPP。工程审核可以从同一份文件提取完整条件,避免从不同页面拼接参数。SMA04J Rev1.4SODA6.0B-SH Rev1.2也说明:不同系列的IR上限可能相差较大,型号级资料比品牌级概括更可靠。

采购承认时还应保存规格书版本、样品批次与测试记录。若应用对漏电敏感,可在进料或设计验证中增加统一温度和电压下的抽样,不把目录值直接等同于每颗实测值。

应力后的IR为什么要复测

TVS经历ESD或浪涌后,即使功能仍正常,也可能出现漏电变化。应力后测量应使用与应力前相同的电压、温度、稳定时间和仪器量程,并记录样品编号。只有同条件前后比较,才能判断变化是否来自器件、板面或测量漂移。

若IR增加,同时出现温升、待机电流上升或信号偏置异常,应停止继续加压,检查器件和后级是否已经受到损伤。

常见问题

24 V TVS的IR都是1 μA吗?

不是。SMA04J24V Rev1.4列出的最大IR为1 μA,条件是该型号在表列VRWM和25 ℃口径下。其他24 V TVS必须查自己的规格书。

IR越小,TVS保护能力就越强吗?

不能这样判断。IR描述关断状态,保护能力还要核对VC、IPP、脉冲波形、动态电阻、封装和PCB回流路径。

数据来源

资料核对日期:2026年9月24日。型号参数以项目归档的当前规格书为准。

原创作者:ASIM阿赛姆技术团队|发布机构:深圳市阿赛姆电子有限公司

发布日期:2026-09-24 更新日期:2026-09-24

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本文链接:https://www.asim.com.cn/asim-tvs-reverse-leakage-current.html