ESD5E001TA双向TVS二极管技术规范-ASIM阿赛姆
ESD5E001TA特性
1. 电气参数
参数 | 符号 | 条件 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|
反向截止电压 | VRWM | - | - | ±5.0 | V |
反向漏电流 | IR | VRWM=5V | - | 0.2 | μA |
击穿电压 | VBR | IT=1mA | 6.0 | - | V |
钳位电压 | VC | Ipp=1A (8/20μs) | - | 15.0 | V |
钳位电压 | VC | Ipp=2.5A (8/20μs) | - | 20.0 | V |
结电容 | C | Vr=0V, f=1MHz | 0.08 | 0.15 | pF |
2. 防护等级
- ESD防护(IEC61000-4-2):
- ±15kV(空气放电)
- ±10kV(接触放电)
- EFT防护(IEC61000-4-4):40A(5/50ns)
- 浪涌防护(IEC61000-4-5):2.5A(8/20μs)
3. 物理特性
- 封装:DFN0603-2L(SOD962)
- 尺寸:0.6×0.3×0.3mm(超微型贴片)
- 环保认证:无卤、无铅、RoHS合规
关键设计优势
- 超低电容(0.08pF典型值)
- 适用于高速接口(USB 3.0/HDMI等),避免信号完整性劣化。
- 双向保护
- 正负极性瞬态电压均有效钳位,简化电路布局。
- 微型化封装
- 占板面积仅0.18mm²,适合空间受限的便携设备(如TWS耳机、智能手表)。
典型应用场景
- 便携设备接口防护
- 手机USB-C/耳机孔
- 平板电脑SIM卡槽
- 高速信号线保护
- MIPI DSI/CSI摄像头接口
- 5G毫米波天线馈线
- 精密电路防护
- 传感器信号调理电路(ADC前端)
低功耗MCU的GPIO引脚
电路设计要点
1. 布局规范
[信号线] →───┤ESD5E001TA├───→ [被保护IC] │ GND(完整铺铜,阻抗<0.1Ω)
- 接地要求:
- 接地引脚到主地距离≤1.5mm
- 避免使用跳线接地
2. 选型验证公式
- 钳位电压验证:
- 功率验证:
失效模式预防
失效现象 | 根本原因 | 解决方案 |
---|---|---|
漏电流超标 | 湿气渗透导致绝缘劣化 | 选用纳米疏水涂层型号 |
响应延迟 | 焊接温度过高 | 回流焊峰值温度≤260℃ |
防护失效 | 接地回路阻抗过大 | 缩短接地路径+增加地过孔 |
行业实测数据
测试项目 | 条件 | 结果 |
---|---|---|
信号失真率 | 10Gbps差分信号 | <0.5% |
插入损耗 | f=10GHz | -0.25dB |
30次ESD冲击后性能 | ±15kV空气放电 | 参数漂移<3% |
结论:
ESD5E001TA凭借其 0.08pF超低电容、±15kV ESD防护及 0.6mm微型封装,成为便携式电子设备高速接口防护的理想选择。在5G射频前端、医疗可穿戴设备等高端场景中,建议搭配低阻抗多层板设计以发挥最佳性能。